2、氣相外延爐,設(shè)備功能:為氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境,實現(xiàn)在單晶上,生長與單晶晶相具有對應(yīng)關(guān)系的薄層晶體,為單晶沉底實現(xiàn)功能化做基礎(chǔ)準(zhǔn)備。氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝,其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù),而且與襯底的晶向保持對應(yīng)的關(guān)系。
3、分子束外延系統(tǒng),設(shè)備功能:分子束外延系統(tǒng),提供在沉底表面按特定生長薄膜的工藝設(shè)備;分子束外延工藝,是一種制備單晶薄膜的技術(shù),它是在適當(dāng)?shù)囊r底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜。
4、氧化爐(VDF),設(shè)備功能:為半導(dǎo)體材料進行氧化處理,提供要求的氧化氛圍,實現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計的氧化處理過程,是半導(dǎo)體加工過程的不可缺少的一個環(huán)節(jié)。
5、低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(LPCVD),設(shè)備功能:把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入LPCVD設(shè)備的反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。
6、等離子體增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD),設(shè)備功能:在沉積室利用輝光放電,使其電離后在襯底上進行化學(xué)反應(yīng),沉積半導(dǎo)體薄膜材料。
7、磁控濺射臺(MSA),設(shè)備功能:通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場,和靶表面上形成的正交電磁場,把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域,實現(xiàn)高離子密度和高能量的電離,把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。
8、化學(xué)機械拋光機(CMP),設(shè)備功能:通過機械研磨和化學(xué)液體溶解“腐蝕”的綜合作用,對被研磨體(半導(dǎo)體)進行研磨拋光
9、光刻機,設(shè)備功能:在半導(dǎo)體基材上(硅片)表面勻膠,將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上,把器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上。10、反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)(RIE),設(shè)備功能:平板電極間施加高頻電壓,產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層,放入式樣,離子高速撞擊式樣,實現(xiàn)化學(xué)反應(yīng)刻蝕和物理撞擊,實現(xiàn)半導(dǎo)體的加工成型。
11、ICP等離子體刻蝕系統(tǒng),設(shè)備功能:一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中,在外部能量作用下(如射頻、微波等)形成等離子體,一方面等離子體中的活性基團與待刻蝕表面材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物;另一方面等離子體中的離子在偏壓的作用下被引導(dǎo)和加速,實現(xiàn)對待刻蝕表面進行定向的腐蝕和加速腐蝕。
12、濕法刻蝕與清洗機,設(shè)備功能:濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)。清洗是為減少沾污,因沾污會影響器件性能,導(dǎo)致可靠性問題,降低成品率,這就要求在每層的下一步工藝前或下一層前須進行徹底的清洗。
13、離子注入機(IBI),設(shè)備功能:對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜。
14、探針測試臺,設(shè)備功能:通過探針與半導(dǎo)體器件的pad接觸,進行電學(xué)測試,檢測半導(dǎo)體的性能指標(biāo)是否符合設(shè)計性能要求。
15、晶片減薄機,設(shè)備功能:通過拋磨,把晶片厚度減薄。
16、晶圓劃片機(DS),設(shè)備功能:把晶圓,切割成小片的Die。
17、引線鍵合機(Wire Bonder),設(shè)備功能:把半導(dǎo)體芯片上的Pad與管腳上的Pad,用導(dǎo)電金屬線(金絲)鏈接起來。
以上內(nèi)容是贏家江恩工作人員從互聯(lián)網(wǎng)中總結(jié)出來的一些涉及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)加工設(shè)備,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能是我們很長一段時間都在關(guān)注的事情,目前國際上對我們的高精端設(shè)備的管控越來越嚴(yán),自力更生成為我們必走之路,希望我們國家的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盡快達到國際一流,也希望此篇文章能給您帶來一定的答案。
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